向Tb级存储密度前进！富士通新突破

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向Tb级存储密度前进！富士通新突破

振华网 2006年12月01日作者：阿亮编辑：阿亮

硬盘的存储容量一直在呈高速发展的趋势，在这种发展的背后是各家厂商技术的不断进步。垂直记录技术现在是业界的最大热门，而如何让硬盘容量在垂直记录技术无法满足后继续提升则成了各家厂商研发的重点。全球头号厂商希捷钟情于热辅助磁记录技术（HAMR，Heat Assisted Magnetic Recording），而富士通的目标则是TAMR（Thermal Assisted Magnetic Recording）。明眼人看的出来，其实它们都是一回事。28号，富士通宣布在这项技术上取得了新的突破。

他们宣称，开发出了一款能够定位到100nm以下写入点的激光器产品。热辅助磁记录技术采用了激光作为辅助写入介质，在写入时使用激光照射写入点，利用产生的热能辅助磁头写入，这样写入磁头不需要太强的磁场。数据存储和读取的操作则在常温下进行，由于采用了高矫顽力的记录介质，磁盘的存储密度和数据的稳定性都将大幅度提高。

热辅助磁记录技术采用的激光是一个难题，如果要达到1Tbit/平方英寸的存储密度，那么每个bit所占用的面积将是25nm2，这样小的面积需要相应的细光束，普通激光很难做到。而富士通的新型激光器可以在88nmx60nm的面积上聚焦，并且保持17%的光学效率。富士通宣称，这是业界第一款可以做到100nm以下定位的多层光学元件。

富士通在日本举行的光学存储技术座谈会上对这一光学元件作了展示，至此，其已经掌握了热辅助磁记录技术的所有关键元件，可以发力向Tb/in2的存储密度进军了。